日前,南京大学教授缪峰带领的研究团队研发出了一种能够摆脱对冷却系统依赖的电子元件,并以《基于层状二维材料的高鲁棒性忆阻器》为题在《自然—电子学》杂志上发表了这一研究成果。
忆阻器是一种基于“记忆”外加电压或电流历史而动态改变其内部电阻状态的电阻开关,是一种运算和存储元件。该团队研制的忆阻器能够在高达340℃的温度下稳定工作并且保持良好的擦写性能。
缪峰表示,目前这项研究已经在申请国内外专利,它不仅展示了二维层状材料异质结构在忆阻器领域中的巨大应用前景,对未来极端环境下电子元件的设计与研究有着重要的指导意义。
地址:深圳市宝安区新安街道欢乐港湾9号海府生态大厦D栋701室
Address:Room 701, Building D, Haifu Ecological Building, No. 9 Happy Harbor, Xin'an Street, Bao'an District, Shenzhen
电话:0755-83826387
传真:0755-83821813
手机:18925204075
邮件:chenying@sunny-time.com
网址:www.sunny-time.com