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■ 产品名称: 通过内置存储器实现过充电检测电压及过电流切断电流的高精度化 锂离子/聚合物二次电池用存储器内置保护IC MJ3401

通过内置存储器实现过充电检测电压及过电流切断电流的高精度化 锂离子/聚合物二次电池用存储器内置保护IC MJ3401
    • 通过内置存储器,可在封装后补偿过充电检测电压、过电流切断电流
      可补偿组装应力的影响,从而实现过充电检测电压的高精度化。将FET的导通电阻特性反馈到过电流检测电压,从而实现过电流切断电流的高精度化。
    • 保护IC和充电放电开关用FET的2合1封装化
      收纳于一个封装之中,可谋求基板设计的简单化。
    • 节省实装空间
      虽然是叠层型2合1封装,但实现了低高度化(0.5mm max.)。
      为基板超薄化作出贡献。
  • 主要规格
    最大额定电压 10V max. (保护IC部)、24V max. (FET部)
    最大容许损耗 1W
    漏极电流 12A max. (DC)
    工作电压范围 1.5~5.5V
    过充电检测电压 4.1~4.6V ±10mV (可设定范围和公差)
    过放电检测电压 2.0~3.0V ±35mV (可设定范围和公差)
    放电过电流切断电流 4.0~8.0A ±20%以下 (可设定范围和公差)
    充电过电流切断电流 4.0~8.0A ±20%以下 (可设定范围和公差)
    源与源之间导通电阻 11.0mΩ typ.
    封装 PLP-4-2141
    外形尺寸 2.1(D)×4.1(W)×0.5(H) mm

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